科技成果發(fā)布 | 河南科技大學新一代信息技術類科技成果(四)
發(fā)布時間:2021-03-16
為貫徹落實十九屆五中全會精神,緊扣創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略要求,充分發(fā)揮市場配置資源的決定性作用,加快推動洛陽市科技成果轉(zhuǎn)化為現(xiàn)實生產(chǎn)力,近期,洛陽國家大學科技園聯(lián)合河南科技大學,通過微信公眾號等平臺在線對河南科技大學【科技成果發(fā)布】。
成 果 一
磁懸浮無軸承異步電機控制系統(tǒng)
成果簡介:
無軸承電機是20世紀80年代末提出的集旋轉(zhuǎn)驅(qū)動和轉(zhuǎn)軸自軸承懸浮功能于一體的新型特種電機,它不但克服了磁軸承電機的諸多局限,還具有結(jié)構(gòu)更緊湊、便于微型化、臨界轉(zhuǎn)速高,同等軸長下輸出功率大,不需要外加直流偏置磁場,功耗小等一系列優(yōu)點。無軸承異步電機內(nèi)部存在復雜的電磁耦合關系,要實現(xiàn)其高性能控制,需要對相關變量進行動態(tài)解耦;另外,因難免的轉(zhuǎn)子質(zhì)量偏心,會產(chǎn)生作用于轉(zhuǎn)子的不平衡激振力,導致轉(zhuǎn)子徑向位移的周期性波動。
技術領域:
可應用于高端裝備制造,新一代信息技術,新能源電動汽車
實施條件:
無軸承電機及DSP控制器完整生產(chǎn)線,具有新型特種電機及DSP控制器的優(yōu)化設計、加工、測試實驗條件以及二次開發(fā)能力。
成 果 二
用于高精度北斗衛(wèi)星信號接收的射頻前端專用集成芯片研發(fā)
成果簡介:
本項目為完全自主知識產(chǎn)權(quán)的、兼容北斗三代、可獲取高精度衛(wèi)星導航信號的射頻前端專用芯片(Radio Frequency IntegratedCircuits, RFIC)的設計實現(xiàn)。芯片支持以北斗三代全球信號在內(nèi)的當前所有衛(wèi)星系統(tǒng)、所有頻點、所有高精度衛(wèi)星引擎的導航定位信號,同時滿足多種制式的導航系統(tǒng),包含北斗/GPS/伽利略/Glonass,頻率從1150M到1610M。設計方案中高度集成低噪放大器、混頻器、濾波器、數(shù)模轉(zhuǎn)換器、頻率綜合器、LDO以及SPI串行接口,可以直接與微處理器通信進行后期處理。此研究方案從信號完整性、低功耗設計、系統(tǒng)小型化與結(jié)構(gòu)簡潔化等方向,針對高精度北斗定位信號接收系統(tǒng)的設計和芯片級集成提出了行之有效的方法。
本項目成果主要針對當前發(fā)展迅速的對亞米級乃至厘米毫米級的位置需求市場,如無人駕駛、高端無人機、精密工業(yè)控制、智慧農(nóng)業(yè)、高端個人定位終端等,實現(xiàn)對現(xiàn)有國內(nèi)外同類產(chǎn)品從性能、功耗、成本全方面的突破,同時實現(xiàn)芯片搭載所有子電路模塊的自主可控。
技術領域:
可應用于高端裝備制造,新一代信息技術
實施條件:
(1)基礎理論與關鍵技術的前期積累
關于射頻接收芯片的各種系統(tǒng)架構(gòu),近年來均有文獻報道,可以借鑒運用。而關于RFIC設計中運用到的各種關鍵技術,如斬波放大技術,陷波濾波技術,可變增益放大技術,ΔADC設計技術以及SPI總線集成設計技術,也都有較多文獻單獨報道,可以借鑒運用。申請人在預研項目中對關鍵技術已經(jīng)有所研究,針對低功耗LNA和高精度ADC的初次電路仿真結(jié)果,已經(jīng)過相關專業(yè)技術人員確認,并與相關文獻比較,可以實現(xiàn)對每一個關鍵子電路模塊的性能達標。
(2)設計方案流程與相關設計軟件
在集成電路的實現(xiàn)上,必須運用到Cadence公司、Synopsys公司和Altera公司的仿真設計軟件。
成 果 三
紅外焦平面探測器結(jié)構(gòu)模型及應用
成果簡介:
基于等效原理,建立了適用于面陣探測器全工藝流程的結(jié)構(gòu)分析模型,模擬結(jié)果能夠預測探測器在不同工藝階段的形變分布,以及在底充膠固化、背減薄工藝、液氮沖擊、周期性高低溫循環(huán)中的形變演化規(guī)律。這為面陣探測器的結(jié)構(gòu)優(yōu)化提供理論支持,同時為器件失效分析提供有效的理論指導。
技術領域:
可應用于高端裝備制造,新一代信息技術
成 果 四
GaAs HBT相關集成電路輻照特性研究
成果簡介:
空間環(huán)境中的電子設備出現(xiàn)故障的原因70%歸因于空間輻照。GaAsHBT器件具有較好的抗輻照特性,在國防航天等領域應用潛力巨大。目前針對GaAsHBT器件及電路的輻照研究大都集中在電學特性退化的描述上,而對于輻照機理方面,還未得到系統(tǒng)深入的研究。鑒于質(zhì)子是空間輻照環(huán)境中主要的輻射粒子,并且質(zhì)子輻照會對器件及電路特性造成嚴重影響,因此本項目將以GaAsHBT器件及相關集成電路的質(zhì)子輻照效應作為研究對象。首先,采用SRIM軟件指導器件的質(zhì)子輻照實驗,并結(jié)Sentaurus軟件和NIEL理論,研究質(zhì)子輻照損傷物理機制;其次,引入反映輻照效應的敏感因數(shù),采用SDD技術建立考慮質(zhì)子輻照效應的器件模型;最后,利用所建立的器件輻照模型,提出有效的抗輻照加固措施??梢灶A期,本項目的研究必將拓展GaAs HBT器件及相關集成電路輻照效應的研究深度及實際應用范圍。
技術領域:
可應用于新一代信息技術
實施條件:
需要具有完整的GaAs HBT生產(chǎn)工藝線,可以對設計的GaAs HBT電路進行流片。
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